Afzali, S. S., Orouji, A. A., Ramezani, Z.. (1397). Triple-Gate MOSFET Transistor using the Silicon-Germanium Tunneling Diode for Kink Effect Improvement. نشریه جغرافیا و برنامه ریزی, 48(3), 985-990.
S. S. Afzali; A. A. Orouji; Z. Ramezani. "Triple-Gate MOSFET Transistor using the Silicon-Germanium Tunneling Diode for Kink Effect Improvement". نشریه جغرافیا و برنامه ریزی, 48, 3, 1397, 985-990.
Afzali, S. S., Orouji, A. A., Ramezani, Z.. (1397). 'Triple-Gate MOSFET Transistor using the Silicon-Germanium Tunneling Diode for Kink Effect Improvement', نشریه جغرافیا و برنامه ریزی, 48(3), pp. 985-990.
Afzali, S. S., Orouji, A. A., Ramezani, Z.. Triple-Gate MOSFET Transistor using the Silicon-Germanium Tunneling Diode for Kink Effect Improvement. نشریه جغرافیا و برنامه ریزی, 1397; 48(3): 985-990.


Contact Us | Help & Support | Site Map

Journal Management System. Designed by sinaweb.