آمار
| تعداد نشریات | 31 |
| تعداد شماره‌ها | 750 |
| تعداد مقالات | 8,229 |
| تعداد مشاهده مقاله | 9,947,110 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 9,421,637 |
مدل تحلیلی پتانسیل و ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش | ||
| مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
| مقاله 40، دوره 47، شماره 4 - شماره پیاپی 82، زمستان 1396، صفحه 1759-1769 اصل مقاله (725.88 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسنده | ||
سید امیر هاشمی 
| ||
| دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی و مهندسی - گروه مهندسی برق | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج می‌شود. مؤلفه دوبعدی بر اساس روش جداسازی متغیرها به‌دست می‌آید. برخلاف مدل‌های موجود که برای محاسبه پاسخ دوبعدی از حل عددی مؤلفه کانال بلند استفاده می‌کنند، مدل پیشنهای به‌صورت تحلیلی ارائه شده است. سپس، برای یک ترانزیستور متقارن، با استفاده از مفهوم کاتد مجازی و پتانسیل دوبعدی به‌دست آمده، روابط تحلیلی فرم بسته برای ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و تغییرات ولتاژ آستانه استخراج شده است. مدل پیشنهادی در هر نقطه از کانال معتبر است و بر اساس آن می‌توان تأثیر پارامترهای فیزیکی ترانزیستور را بر روی مشخصه‌های الکتریکی آن بررسی کرد. تطبیق مناسب بین نتایج حاصل از مدل و نتایج شبیه‌سازی عددی با نرم‌افزار، دقت مناسب مدل پیشنهادی را نشان می‌دهد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| اثرات کانال کوتاه؛ ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای؛ کاهش سد پتانسیل با القای درین؛ معادله پواسون؛ ولتاژ آستانه | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Explicit Analytic Model of the Potential and threshold Voltage of an Undoped Dual-Material Double-Gate MOSFET | ||
| نویسندگان [English] | ||
| S. A. Hashemi | ||
| Faculty of Engineering, Shahrekord University, Shahrekord, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| An explicit two dimensional (2D) analytical expression for potential of the channel of an undoped Dual-Material Double-Gate MOSFET has been presented which is applicable to asymmetric and symmetric devices. The 2D potential is based on the sum of 1D long channel potential along the channel and 2D potential variation. The 1D potential term depends on intrinsic Debye length and is analytically extracted from 1D Poisson’s equation. The 2D term is achieved by separation of variables method. Despite the existing models which use numerical calculations to achieve the long channel potential, the proposed model has been extracted analytically. For a symmetric device, using the proposed potential model and by means of virtual cathode, analytic expressions for the threshold voltage and drain induced barrier lowering have been derived. Simulations show good agreement between the results of the proposed model and those of TCAD software which guarantees the accuracy of the proposed model. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| short channel effects, dual-material double-gate MOSFET, drain induced barrier lowering, Poisson’s equation, threshold voltage | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 287 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 422 |
||
