| تعداد نشریات | 45 |
| تعداد شماره‌ها | 1,375 |
| تعداد مقالات | 16,889 |
| تعداد مشاهده مقاله | 54,369,774 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 17,059,560 |
طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به‌کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (HfO2) و سیلیسیم-ژرمانیوم (SiGe) در کانالی از جنس سیلیسیم (DM-DG) | ||
| مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
| مقاله 26، دوره 47، شماره 1 - شماره پیاپی 79، خرداد 1396، صفحه 299-304 اصل مقاله (577.21 K) | ||
| نویسندگان | ||
| حامد نجفعلی‌زاده؛ علی‌اصغر اروجی* | ||
| دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختار ارائه‌شده نسبت به ساختار دوگیتی معمولی به دلیل کاهش اثر حامل‌های داغ (HCE) و همین‌طور اثر کاهش سد پتانسیل به دلیل درین (DIBL) پایین‌تر است. از طرفی برای این‌که تجمع حفره‌های اضافی را از سطح کانال دور کرده و باعث کاهش اثر بدنه شناور (FBE) و ترانزیستورهای BJT پارازیتیک در ساختار شویم، از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس استفاده می‌کنیم. نتایج شبیه‌سازی دوبعدی با نرم‌افزار شبیه‌ساز ATLAS نشان داده‌شده و به دلیل کوچک بودن طول ناحیه کانال (20 nm) از مدل کوانتومی استفاده شده است. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| ماسفت دوگیتی؛ اثر کانال کوتاه؛ عایق HfO2؛ سیلیسیم-ژرمانیوم | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,312 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,292 |
||
