ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا

[1] A. A. Oruji, S. Sharbati, and M. Fathipour,  “A new partial-solid MOSFET with modified electric field for break down voltage improvement,” IEEE Transaction on Devices and Materials Reliability, vol. 9, no. 3, pp. 449-453, 2009.

[2] B. C. Jeon, D. Y. Kim, Y. S. Lee, and J. K. Oh, “Buried air gap structure for improving the break down voltage of SOI MESFETs,” Power Electronics and Motion Control Conference, vol. 3, pp. 1061-1063, 2000.

[3] H. Amini Moghadam, A. A. Orouji, and A. Dideban, “A novel 4H–SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance,” Semiconductor Science and Technology, vol. 27, no. 1, 2012.

[4] A. A. Orouji, Z. Ramezani, P. Keshavarzi, and A. H. Aminbeidokhti, “A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances,” Super lattices and Microstructures, vol. 61, pp. 69-80, 2013.

[5] A. H. Aminbeidokhti, A. A. Orouji,   S. Rahmaninezhad, and M. Ghasemian, “A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution,” IEEE Transaction Electron Devices, vol. 59, no. 5, 2012.

[6] W. Lepkowski, J. Ervin, S. J.Wilk, and T. J. Thornton, “SOI MESFETs fabricated using fully depleted CMOS technologies,”  IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no.  6, pp. 678-680, 2009.

[7] J. Y. Spann, J. Anderson, and R. Thornton, “High-frequency performance of sub threshold SOI MESFETs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 25, no. 9, pp. 652-654, 2004.

[8] S. Jit, P. K. Pandeya, and P. K. Tiwaria, “Modeling of the sub threshold current and sub threshold swing of fully depleted short-channel Si–SOI MESFETs,” Solid-State Electron., vol. 53, no. 1, pp. 57-62, 2008.

[9]  محسن گیتی‌زاده و محسن کلانتر، «تعیین مقدار و موقعیت بهینه نصب ادوات FACTS با درنظرگرفتن تابع هدف چندمنظوره و ترکیب آب‌کاری فولاد با برنامه‌ریزی آرمانی،» مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز، دوره 39، شماره 1، صفحه 46-37، 1388.

[10] رضا رستمی‌نیا، محسن صنیعی و اصغر اکبری، «تاثیر پالس‌های ادوات الکترونیک قدرت بر وقوع تخلیه جزئی در عایق ماشین‌های الکتریکی با استفاده از مدل‌سازی به روش اجزاء محدود،» مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز، دوره 45، شماره 1، صفحه 28-21، 1394.

[11] Device Simulator Atlas, Atlas User^’s Manual, Santa Clara, CA, Silvaco Int. Softw., 2012.

[12] M. Yoshimi, H. Hazama, M. Takahashi, S. Kambayashi, T. Wada, K. Kato, and H. Tango, “Two-dimensional simulation and measurement of high-performance MOSFETs made on a very thin SOI film,” IEEE Transaction. Electron Devices, vol. 36, pp. 493-503, 1989.

[13] J. Ervin, A. Balijepalli,  P. Joshi,  V. Kushner, J. Yang, and T. J. Thornton, “CMOS-compatible SOI MESFETs with high breakdown voltage,” IEEETransaction Electron Devices, vol. 53, no. 12, pp. 3129-3135, 2006.

[14] S. M. Sze, and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed., Hoboken, NJ, Wiley, 2007.