
تعداد نشریات | 45 |
تعداد شمارهها | 1,384 |
تعداد مقالات | 16,957 |
تعداد مشاهده مقاله | 54,581,093 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 17,199,334 |
روش دیاگرام دوپتانسیل برای طراحی گیت اند تک الکترون | ||
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
دوره 55، شماره 1 - شماره پیاپی 111، خرداد 1404، صفحه 77-81 اصل مقاله (468.55 K) | ||
نوع مقاله: علمی-پژوهشی | ||
شناسه دیجیتال (DOI): 10.22034/tjee.2024.61133.4827 | ||
نویسندگان | ||
Jalal Gholinejad* ؛ Mohammad Javad Sharifi | ||
گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق - دانشگاه شهید بهشتی- تهران- ایران | ||
چکیده | ||
در این مقاله، روش دیاگرام دو پتانسیل که میتواند رفتار فیزیکی ادوات تک الکترون را توصیف کند معرفی شده است. علاوه بر این، از این تکنیک برای طراحی یک گیت AND تک الکترون استفاده شده است. همچنین، تحلیل زمانی گیت پیشنهادی مورد بحث قرار گرفته است. متعاقبا، اصول روش دیاگرام دو پتانسیل توضیح داده شده است. نشان داده شده است که دیاگرام دو پتانسیل قادر به توضیح پدیده انسداد کولنی و تحلیل زمانی ادوات تک الکترون است. مضافا، امکان طراحی و بهینهسازی این ادوات را به راحتی فراهم میکند. نتایج توسط نرمافزار سیمون تأیید شده است و مزایای رویکرد معرفی شده نشان داده شده است. | ||
کلیدواژهها | ||
تک الکترون؛ گیت AND؛ انسداد کولنی؛ سیمون | ||
مراجع | ||
[1] M. J. Sharifi and K. Jamshidnezhad, “A general SPICE compatible circuit model for single-electron devices and application to bit-error-rate calculations”, Int. J. Circ. Theor. Appl., vol. 42, no.8, pp. 769-793, 2014.
[2] Y. S. Yu, S. W. Hwang, and D. Ahn, “Macromodeling of Single-Electron Transistors for Efficient Circuit Simulation”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 46, no. 8, pp. 1667-1671, 1999.
[3] M. J. Sharifi, “Transient Response of Single-electron Devices and Their Time Constants”, Journal of the Korean Physical Society, vol. 58, no. 1, pp. 138-149, 2011.
[4] Davoud Bahrepour and Mohammad Javad Sharifi, “A New Single Electron Tunneling Cell Based on Linear Threshold Gate”, AIP Conference Proceedings, vol. 1341, no. 1, pp. 148-152, 2011.
[5] F. Zhang, R. Tang, Y.-B. Kim, “SET Based Nano Circuit Simulation and Design Method Using HSPICE”, Microelectronics Journal, vol. 36, no. 8, pp. 741-748, 2005.
[6] Lageweg, S. Cotofana¸ and S.Vassiliadis,“Evaluation-methodology-for-single electron encoded Threshold logic gates”, IFIP International Federation for Information Processing, pp. 247-262 , 2006.
[7] Mohammad Javad Sharifi, “A Theorical Study of Performance of a Single-Electron Transistor Buffer”, vol. 94, no. 6, pp. 1105-1111, 2011.
[8] Takada, Shintaro, Hermann Edlbauer, Hugo V. Lepage, Junliang Wang, Pierre-André Mortemousque, Giorgos Georgiou, Crispin HW Barnes et al., “Sound-driven single-electron transfer in a circuit of coupled quantum rails”, Nature communications, vol. 10, no. 1, 2019.
[9] Gholinejad, Jalal, Kian Jafari, and Kambiz Abedi, “Optical XOR Interconnect Gate Based on Symmetric and Asymmetric Plasmonic Modes in IMI Structure Using Modified Kretschmann Configuration”, 2019 2nd West Asian Colloquium on Optical Wireless Communications (WACOWC), IEEE, 2019.
[10] Maillet, Olivier, Paolo A. Erdman, Vasco Cavina, Bibek Bhandari, Elsa T. Mannila, Joonas T. Peltonen, Andrea Mari et al., “Optimal probabilistic work extraction beyond the free energy difference with a single-electron device”, Physical review letters, vol. 122, no. 15, 2019.
[11] Pekola, Jukka P., and Ivan M. Khaymovich, “Thermodynamics in single-electron circuits and superconducting qubits”, Annual Review of Condensed Matter Physics, vol. 10, pp. 193-212, 2019.
[12] Iwata, Yoshiaki, Tomoki Nishimura, Alka Singh, Hiroaki Satoh, and Hiroshi Inokawa, “High-frequency rectifying characteristics of metallic single-electron transistor with niobium nanodots”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 61, no. SC, 2022.
[13] Darwin, S., E. Fantin Irudaya Raj, M. Appadurai, and M. Chithambara Thanu, “A Detailed Study on Single Electron Transistors in Nano Device Technologies”, In Energy Systems Design for Low-Power Computing, IGI Global, pp. 67-99, 2023. | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 260 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 48 |