آمار
| تعداد نشریات | 43 |
| تعداد شماره‌ها | 1,253 |
| تعداد مقالات | 15,411 |
| تعداد مشاهده مقاله | 51,249,554 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 14,256,738 |
مدل سازی تحلیلی ترانزیستورهای موبیلیتی بالای AlGaN/GaN با لایه p در سد | ||
| مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
| مقالات آماده انتشار، اصلاح شده برای چاپ، انتشار آنلاین از تاریخ 13 تیر 1403 | ||
| نوع مقاله: علمی-پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22034/tjee.2024.59687.4782 | ||
| نویسندگان | ||
| سید ابراهیم حسینی* ؛ رباب مددی | ||
| دانشگاه فردوسی مشهد | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله مدل سازی تحلیلی دوبعدی یک ترانزیستور موبیلیتی بالا با یک لایه p در لایه سد ارائه شده است. در این مدل توزیع پتانسیل و میدان الکتریکی با حل معادله لاپلاس دوبعدی و به روش پتانسیل معادل و شرایط مرزی مناسب برای دو حالت تخلیه کامل و تخلیه ناکامل به دست آمده است. در روش پتانسیل معادل، بارهای ناحیه تخلیه با یک پتانسیل در سطح لایه passivation جایگزین می شود. این مدل دقت و سادگی مناسبی را سبب می شود و دیدگاه فیزیکی در مورد مشخصه شکست ترانزیستور موبیلیتی بالای AlGaN/GaN با لایه p در سد ارائه می کند. این لایه، میدان الکتریکی زیر گیت در نزدیکی درین را کاهش داده و یک بیشینه میدان جدید ایجاد می کند که سبب می شود توزیع میدان در کانال یکنواخت تر شده و در نتیجه ولتاژ شکست افزایش یابد. وابستگی میدان و پتانسیل در کانال به طول و ضخامت لایه p بررسی شده است. مقایسه نتایج مدل با نتایج شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو، دقت مدل را تایید می کند. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| مدل تحلیلی؛ معادله لاپلاس؛ روش پتانسیل معادل؛ پتانسیل؛ میدان الکتریکی؛ لایه p | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 38 |
||