تعداد نشریات | 44 |
تعداد شمارهها | 1,303 |
تعداد مقالات | 16,020 |
تعداد مشاهده مقاله | 52,486,961 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 15,213,956 |
افزایش سرعت الگوریتم تعیین ضریب انعکاس بار تقویتکنندههای غیرخطی بر مبنای پارامترهای X | ||
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
شناسنامه علمی شماره، دوره 50، شماره 1 - شماره پیاپی 91، خرداد 1399، صفحه 341-349 اصل مقاله (1.19 M) | ||
نویسندگان | ||
حمید قاسمی جوجیلی؛ محسن میوه چی* | ||
دانشکده مهندسی - دانشگاه اصفهان | ||
چکیده | ||
در سالهای اخیر روشهای طراحی بر مبنای پارامترهای X معرفی شدهاند. یکی از این الگوریتمها، امپدانس بار بهینهای را تعیین میکند که به ازای آن توان خروجی بیشینه میشود. این الگوریتم از یک روند تکرارشونده استفاده میکند. ضریب وزنی، سرعت همگرایی این الگوریتم را تعیین میکند. با انتخاب نامناسب این ضریب وزنی ممکن است الگوریتم کُند و یا ناپایدار شود. در این مقاله یک روش وزندهی کاهشی و یک روش وزندهی تطبیقی برای سرعت بخشیدن به همگرایی و جلوگیری از ناپایداری ارائه میشوند. با کاربرد این روشها در تقویتکنندههای مختلف، کارایی آنها در مقایسه با وزندهی ثابت بررسی میشود. با توجه به نتایج، دو روش پیشنهادی سرعت همگرایی بیشتری نسبت به حالت وزندهی ثابت دارند. این روشها با یکدیگر مقایسه شدهاند. در نهایت الگوریتم وزن تطبیقی با کمترین مراحل تکرار بهعنوان روش بهینه انتخاب شده است. هر دو روش پیشنهادی در همه موارد پایدار هستند. | ||
کلیدواژهها | ||
تقویتکننده غیرخطی؛ پارامترهای X؛ بهبود ضریب انعکاس بار | ||
مراجع | ||
[1] C.-I. Lee, Y.-T. Lin, and W.-C. Lin, “Investigation of Time-Domain Locus of SiGe HBTs in the Avalanche Region by Using the X-Parameter Measurement Under Large-Signal Drive,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters , vol. 27, no. 5, pp. 464–466, May 2017. [2] جواد جاویدان، سپیده فاضل، «طراحی تقویتکننده توان دوبانده همزمان با سوئیچ فعال در GHz 4/2/9/0 در پروسه μm RF CMOS18/»، مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز، جلد 46، شماره 4، صفحات 94-85، 1395. [3] G. Simpson, J. Horn, D. Gunyan, and D. E. Root, “Load-pull + NVNA = enhanced X-parameters for PA designs with high mismatch and technology-independent large-signal device models,” 72nd ARFTG Microwave Measurement Symposium, Portland, OR, USA, pp. 88–91, 2008. [4] C.-I. Lee, Y.-T. Lin, and W.-C. Lin, “Large-Signal Characterization of pHEMT Under Different Load Conditions by Using X-Parameters,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters. vol. 26, no. 2, pp. 125–127, Feb. 2016. [5] R. Essaadali, A. Jarndal, A. B. Kouki, and F. M. Ghannouchi, “A New GaN HEMT Equivalent Circuit Modeling Technique Based on X-Parameters,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 64, no. 9, pp. 2758–2777, Sep. 2016. [6] A. M. Pelaez-Perez, J. I. Alonso, M. Fernandez-Barciela, and P. J. Tasker, “Validation of load-independent X-parameters,” Active RF Devices, Circuits and Systems Seminar , pp. 47–50, 2011. [7] افشین کاظمی، نویدرضا ابجدی، «کنترل تطبیقی فازی مدل مرجع برای سیستمهای غیرخطی تکورودی – تکخروجی همراه با نامعینی»، مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز، جلد 47، شماره 4، صفحات 1625-1613، 1396. [8] A. M. Pelaez-Perez, S. Woodington, M. Fernandez-Barciela, P. J. Tasker, and J. I. Alonso, “Application of an NVNA-Based System and Load-Independent X-Parameters in Analytical Circuit Design Assisted by an Experimental Search Algorithm,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 61, no. 1, pp. 581–586, Jan. 2013. [9] A. M. Pelaez-Perez, S. Woodington, J. I. Alonso, M. Fernandez-Barciela, and P. J. Tasker, “X-parameters®-based closed-form expressions for evaluating power-dependent fundamental negative and positive real impedance boundaries in oscillator design,” IET Microwaves, Antennas & Propagation, vol. 6, no. 8, p. 835, 2012. [10] H. G. Joujili, M. Mivehchy, M. Nouri, and S. A. Aghdam, “A new analytical algorithm for the determination of the load reflection coefficient to maximization dynamic range in high frequency power amplifiers,” 17th Annual Wireless and Microwave Technology Conference, pp. 1–4, 2016. [11] H. G. Joujili, M. Mivehchy, and M. Habibi, “A Novel Analytical Design Approach for Determining the Optimum Load to Minimize Harmonic Output Power Based on X-Parameters,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 64, no. 11, pp. 3492–3500, Clearwater, FL, USA, Nov. 2016. [12] D. E. Root, “Polyharmonic distortion modeling,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 7, no. 3, pp. 44–57, Jun. 2006. [13] J. Horn, D. E. Root, and G. Simpson, “GaN Device Modeling with X-Parameters,” IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, pp. 1–4, 2010. [14] J. Verspecht, D. E. Root, J. Wood, and A. Cognata, “Broad-band, multi-harmonic frequency domain behavioral models from automated large-signal vectorial network measurements,” IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 1975–1978, 2005. [15] J. Verspecht, D. Gunyan, J. Horn, J. Xu, A. Cognata, and D. E. Root, “Multi-tone, Multi-port, and Dynamic Memory Enhancements to PHD Nonlinear Behavioral Models from Large-signal Measurements and Simulations,” IEEE/MTT-S International Microwave Symposium, pp. 969–972, Long Beach, CA, USA, 2007. [16] S. Woodington, Behavioural model analysis of active harmonic load–pull measurements, Ph.D. Thesis, Cardiff University, United Kingdom, Mar, 2001. [17] California Eastern Laboratories. NEC transistors ads design kit, Version 1.5, July 2015, http://www.cel.com/pdf/misc/NEC_mdl_kit_v1.5.zip. [18] A. M. Pelaez-Perez, X-parameters based analytical design of nonlinear microwave circuits. application to oscillator design, Ph.D. Thesis, Cardiff University, United Kingdom, Apr, 2016. | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 353 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 241 |