تعداد نشریات | 44 |
تعداد شمارهها | 1,302 |
تعداد مقالات | 15,916 |
تعداد مشاهده مقاله | 52,193,882 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 14,969,914 |
مرجع جریان µA100 با ضریب تغییرات دمایی پایین مبتنی بر ترکیب ترانزیستورهای زیرآستانه و اشباع | ||
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
مقاله 24، دوره 49، شماره 4 - شماره پیاپی 90، اسفند 1398، صفحه 1711-1720 اصل مقاله (1.1 M) | ||
نوع مقاله: علمی-پژوهشی | ||
نویسندگان | ||
امین شیخی؛ فرشاد گودرزی؛ سیروس طوفان* | ||
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه زنجان | ||
چکیده | ||
در این مقاله یک مرجع جریان با تکنیک ترکیب ساختار ترانزیستورهای اشباع و زیرآستانه ارائه میشود. در این کار ابتدا با هریک از این ساختارها جریانهای PTAT و CTAT تولید و با یکدیگر ترکیب شد. سپس برای دستیابی به ضریب تغییرات دمایی پایین جریانهای خروجی این دو ساختار با ضرایب مناسبی جمع گردید تا یک جریان مرجع برابر با µA100 به دست آید. مدار پیشنهادی برای این مرجع جریان در تکنولوژی 0.18μm CMOS TSMC طراحی و جانمایی آن به ابعاد 177.4μm×180.5μm در نرمافزار Cadence رسم و مدار استخراج شده از آن شبیهسازی شد. نتایج شبیهسازی نشان دادند که این مرجع جریان در بازه دمایی ºC40- تا ºC120 برای حالت TT دارای ضریب تغییرات دمایی ppm/ºC3.68 میباشد. علاوه بر این، میانگین ضریب تغییرات دمایی آن برای 1000 بار تکرار مونت کارلو برابر ppm/ºC 16.384 است. همچنین نتایج شبیهسازی نشان داد که این مدار نسبت به تغییر یک ولتی ولتاژ تغذیه دارای حساسیت 2.9% میباشد. ولتاژ دو سر این مرجع جریان در 98% مقدار نامی خود برابر mV396 است. توان مصرفی این مدار در ولتاژ تغذیه V8/1 برابر 39.67µW است. | ||
کلیدواژهها | ||
آینه جریان کسکودی؛ ضریب تغییرات دمایی؛ مرجع جریان | ||
مراجع | ||
[1] مهدی حسیننژاد و حسین شمسی، «طراحی و شبیهسازی مبدل آنالوگ به دیجیتال لولهای مبتنی بر مقایسهگر ولتاژ پایین»، مجله مهندسی برق، دوره 46، دانشگاه تبریز، 1395. [2] H. Kayahan, O. Ceylan, M. Yazici, S. Zihir and Y. Gurbuz, "Wide Range, Process and Temperature Compensated Voltage Controlled Current Source," IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular papers, Vol. 60, No. 5, pp. 1345-1353, 2013. [3] K. K. Lee, T. S. Lande and P. Dominik, "A Sub-µW Bandgap Reference Circuit with an Inherent Curvature-Compensation Property," IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular papers, Vol. 62, No. 1, pp. 1-9, 2015. [4] B. Ma and F. Yu, "A Novel 1.2-V 4.5-ppm/ºC Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference," IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular papers, Vol. 61, No. 4, pp. 1026-1035, 2014. [5] P. Huang, H. Lin and Y. Lin, "A Simple Subthreshold CMOS Voltage Reference Circuit With Channel- Length Modulation Compensation," IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 53, No. 9, pp. 882-885, 2006. [6] F. Fiori and P. S. Crovetti, "A New Compact Temperature-Compensated CMOS Current Reference," IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 52, No. 11, pp. 724-728, 2005. [7] B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Mc Graw Hill Education Publishing, 2015. [8] P. E. Allen, CMOS Analog Circuit Design, Oxford University Press Publishing, 2002. [9] Y. P. Tsividis and R. W. Ulmer, "A CMOS Voltage Reference," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-13, No. 6, pp. 774-778, 1978. [10] C. M. Andreou, S. Koudounas and J. Georgiou, "A Novel Wide-Temperature-Range, 3.9ppm/ºC CMOS Bandgap Reference Circuit," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 47, No. 2, pp. 574-581, 2012. [11] Q. Duan and J. Roh, "A 1.2-V 4.2-ppm/ºC High-Order Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference," IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular papers, Vol. 62, No. 3, pp. 662-670, 2015. | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 436 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 422 |