| تعداد نشریات | 45 |
| تعداد شماره‌ها | 1,391 |
| تعداد مقالات | 17,025 |
| تعداد مشاهده مقاله | 54,921,441 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 17,416,650 |
ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به‌منظور کاربرد در تکنولوژی نانو | ||
| مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
| مقاله 33، دوره 47، شماره 2 - شماره پیاپی 80، شهریور 1396، صفحه 727-733 اصل مقاله (337.48 K) | ||
| نویسندگان | ||
| مهسا مهراد* ؛ میثم زارعی | ||
| دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی | ||
| چکیده | ||
| ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلیسیم در ناحیه گستردگی درین بین درین و کانال و فصل مشترک اکسید گیت پشتی قرار گرفته است. این ساختار جدید (OW-DG (Oxide Window Double Gate نامیده می‌شود. شبیه‌سازی‌های انجام شده توسط شبیه‌ساز ATLAS نشان می‌دهد که ترانزیستور جدید، جریان حالت خاموش، خازن‌های پارازیتی و دمای الکترون را در مقایسه با ساختار متداول به‌طور چشم‌گیری کاهش می‌دهد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (ماسفت)؛ تکنولوژی سیلیسیم روی عایق؛ ترانزیستورهای دوگیتی؛ دمای الکترون | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,279 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,125 |
||
