آمار
| تعداد نشریات | 45 |
| تعداد شمارهها | 1,504 |
| تعداد مقالات | 18,398 |
| تعداد مشاهده مقاله | 59,726,085 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 20,959,227 |
طراحی نورون ترانزیستوری در فناوری 180 نانومتر CMOS برای شبکههای عصبی مبتنی بر اسپایک | ||
| مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
| مقالات آماده انتشار، اصلاح شده برای چاپ، انتشار آنلاین از تاریخ 31 شهریور 1404 | ||
| نوع مقاله: علمی-پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22034/tjee.2025.66800.5004 | ||
| نویسنده | ||
| میثم اکبری* | ||
| گروه مهندسی الکترونیک-مخابرات، دانشکده مهندسی، دانشگاه کردستان، سنندج، ایران | ||
| چکیده | ||
| این مقاله یک نورون ترانزیستوری آنالوگ را ارائه میدهد که میتواند تحت منابع تغذیه ولتاژ-پایین راهاندازی گردد. نورون پیشنهادی از یک فیلتر پایین-گذر حالت-جریانی با بهره متغیر برای ادغام خطی اسپایکهای ورودی برروی خازن غشاء استفاده میکند. مدار تولیدکننده اسپایک شامل یه حلقه با بازخورد مثبت است که علاوه بر افزایش سرعت سوئیچینگ سبب کاهش مصرف انرژی نیز میگردد. بکارگیری ساختار با پسخورد مثبت، پیادهسازی سازوکار تطبیق فرکانس جهت دستیابی به یک ثابت-زمانی واقعی و کاهش توان مصرفی را مهیا میسازد. یک مقایسهگر حالت-ولتاژی مبتنی بر گیت معکوسگر نیز برای ایجاد ولتاژ آستانه مدار تولیدکننده اسپایک و همچنین تنظیم مجدد پتانسیل غشاء استفاده میشود. تحلیلهای ریاضی در ناحیه زیرآستانه ترانزیستوری نشاندهنده یک معادله خطی مرتبه-اول برای جریان غشاء است که تأییدکننده سادگی پیادهسازی و خطینگی مناسب ساختار نورون پیشنهادی است. شبیهسازی مدار در فناوری 180 نانومتر CMOS تحت ولتاژ تغذیه 0.3V حاکی از 176 fJ/spike انرژی مصرفی است. علاوه بر این، با تنظیم پارامترهای کنترلی میتوان سازوکار تطبیق فرکانس و شلیک اسپایک با الگوی آهسته و سریع را در رفتار نورون پیشنهادی ملاحظه کرد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| اسپایک؛ نورون؛ ترانزیستور؛ شبکه عصبی؛ ولتاژ-پایین؛ تطبیق فرکانس | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 181 |
||