آمار
| تعداد نشریات | 45 |
| تعداد شماره‌ها | 1,383 |
| تعداد مقالات | 16,914 |
| تعداد مشاهده مقاله | 54,463,022 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 17,124,474 |
ارائه راهکار برای مشکل سلول‌های نیمه-انتخابی در سلول SRAM تک‌سر | ||
| مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز | ||
| مقالات آماده انتشار، اصلاح شده برای چاپ، انتشار آنلاین از تاریخ 09 تیر 1404 | ||
| نوع مقاله: علمی-پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22034/tjee.2025.64126.4910 | ||
| نویسندگان | ||
| رضا لطفی* 1؛ سحر فاطمی1؛ احسان رحیمی نژاد2 | ||
| 1گروه مهندسی برق دانشگاه فردوسی مشهد | ||
| 2گروه مهندسی برق دانشکده مهندسی دانشگاه صنعتی قوچان | ||
| چکیده | ||
| مشکل سلول‌های نیمه انتخابی یکی از مسائلی است که با پیشرفت تکنولوژی و کاهش ولتاژ، اهمیت بسیاری در طراحی سلول حافظه دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) پیدا می‌کند. اتصال گره خروجی سلول‌های نگه‌دارنده داده در زمان نوشتن به ولتاژ BL پیش‌شارژ شده، ممکن است سبب تغییر داده‌ی این سلول‌ها شود. همچنین در صورت وجود مشکل سلول‌های نیمه انتخابی، استفاده از طراحی bit-interleaving امکان‌پذیر نیست. این مقاله یک ساختار جدید 10 ترانزیستوری به صورت تک‌سر برای سلول SRAM پیشنهاد می‌کند که به منظور رفع مسئله سلول‌های نیمه انتخابی و بهبود عملیات نوشتن طراحی شده است. در این ساختار بدون اضافه شدن مدار کمکی و افزایش مساحت و توان مصرفی، این مشکل برطرف شده است. علاوه بر این، ساختار پیشنهادی برای مواردی که مصرف توان پایین اهمیت بالایی دارد مناسب است. با توجه به شبیه‌سازی‌های انجام شده برای حافظه 1 کیلوبیت در تکنولوژی nm65 و مقایسه با سایر ساختارها، در ساختار پیشنهادی انرژی نوشتن "صفر" aJ/kb53 در ولتاژ V0.6 و فرکانس MHz5 به دست آمده است. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| SRAM؛ مصرف توان؛ جریان نشتی؛ سلول‌های نیمه‌انتخابی؛ bit-interleaving؛ قطع منبع | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 2 |
||