طراحی تمام جمع‌کننده چهار ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی

[1] L. Peng, Z. Zhang, C. Qiu, “Carbon nanotube digital electronics”, Nature Electronics, vol. 2, no. 11, pp. 499–505, 2019.

[2] P. Arrighi, "An overview of quantum cellular automata", Natural Computing, vol. 18, no. 4, pp. 885–899, 2019

[3] T. Ihn, "Graphene single-electron transistors", Materials Today, vol. 13, no. 3, pp. 44–50, 2010

[4] E. Dubrova, "Multiple-Valued Logic in VLSI: Challenges and opportunities", NORCHIP, 1999, [Online]. Available: http://people.kth.se/~dubrova/PAPERS/NORCHIP99b.pdf

[5] M. H. Moaiyeri, R. F. Mirzaee, A. Doostaregan, K. Navi, O. Hashemipour, "A universal method for designing low‐power carbon nanotube FET‐based multiple‐valued logic circuits", Iet Computers and Digital Techniques, vol. 7, no. 4, pp. 167–181, 2013.

[6] S. Firouzi, S. Tabrizchi, F. Sharifi, A.-H. A. Badawy, "High performance, variation-tolerant CNFET ternary full adder a process, voltage, and temperature variation-resilient design", Computers & Electrical Engineering, vol. 77, pp. 205–216, 2019.

]7[ الهام نیک بخت بیدگلی، داریوش دیدبان، «بررسی عملکرد مالتی‌پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی»، مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز، جلد 50، شماره 2، صفحا ت 943-953، 1399.

]8[ موسی یوسفی، سید سعید موسوی، خلیل منفردی، «مدار نمونه‌گیر-نگهدارنده کم‌مصرف با استفاده از سوئیچ‌های آنالوگ ناقل جریان مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانولوله‌کربنی»، مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز، جلد 52، شماره 1، صفحات 23-31، 1401.

[9] J. Deng, "Device modeling and circuit performance evaluation for nanoscale devices: silicon technology beyond 45 nm node and carbon nanotube field effect transistors", PhD Dissertation, Stanford University, 2007.

[10] D. Akinwande, J. Liang, S. Chong, Y. Nishi, and H. -s. P. Wong, "Analytical ballistic theory of carbon nanotube transistors: Experimental validation, device physics, parameter extraction, and performance projection", Journal of Applied Physics, vol. 104, no. 12, 2008.

[11] مریم نوروزی، محمدحسین معیری، کیوان ناوی، «مدارهای VLSI پیشرفته»، دانشگاه شهید بهشتی، 1397.

[12] A. Raychowdhury, K. Roy, "Carbon Nanotube Electronics: Design of High-Performance and Low-Power digital circuits", IEEE Transactions on Circuits and Systems I-regular Papers, vol. 54, no. 11, pp. 2391–2401, 2007.

[13] Y. Lin, "Scaling aligned carbon nanotube transistors to a sub-10 nm node", Nature Electronics, vol. 6, no. 7, pp. 506–515, 2023.

[14] R. Ho, K. Mai, M. Horowitz, "The future of wires", Proceedings of the IEEE, vol. 89, no. 4, pp. 490–504, 2001.

[15] E. Özer, R. Sendag, D. Gregg, "Multiple-valued logic buses for reducing bus energy in low-power systems", IEE Proceedings, vol. 153, no. 4, p. 270, 2006.

[16] A. Daraei, S. A. Hosseini, "Novel energy-efficient and high-noise margin quaternary circuits in nanoelectronics", AEU - International Journal of Electronics and Communications, vol. 105, pp. 145–162, 2019.

[17] S. Fakhari, N. H. Bastani, M. H. Moaiyeri, "A low-power and area-efficient quaternary adder based on CNTFET switching logic", Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 98, no. 1, pp. 221–232, 2018.

[18] F. Sharifi, M. H. Moaiyeri, K. Navi, N. Bagherzadeh, "Quaternary full adder cells based on carbon nanotube FETs", Journal of Computational Electronics, vol. 14, no. 3, pp. 762–772, 2015.